FQB20N06TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB20N06TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB20N06TM datasheet

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FQB20N06TM

May 2001 TM QFET FQB20N06 / FQI20N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 60V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially

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FQB20N06TM

May 2001 TM QFET FQB20N06L / FQI20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 60V, RDS(on) = 0.055 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 9.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been esp

Otros transistores... FQB19N10LTM, FQB19N10TM, FQB19N20CTM, FQB19N20LTM, FQB19N20TM, FQB1N60TM, FQB1P50TM, FQB20N06LTM, IRLB3034, FQB22P10TM, FQB24N08TM, FQB25N33TM, FQB27N25TMAM002, FQB27P06TM, FQB2N30TM, FQB2N50TM, FQB2N60TM