Справочник MOSFET. FQB20N06TM

 

FQB20N06TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQB20N06TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK

 Аналог (замена) для FQB20N06TM

 

 

FQB20N06TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqb20n06tm.pdf

FQB20N06TM FQB20N06TM

May 2001TMQFETFQB20N06 / FQI20N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 60V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially

 6.1. Size:681K  fairchild semi
 fqb20n06ltm.pdf

FQB20N06TM FQB20N06TM

May 2001TMQFETFQB20N06L / FQI20N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 60V, RDS(on) = 0.055 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 9.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been esp

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top