FQB20N06TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB20N06TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB20N06TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB20N06TM даташит

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqb20n06tm.pdf pdf_icon

FQB20N06TM

May 2001 TM QFET FQB20N06 / FQI20N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 60V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially

 6.1. Size:681K  fairchild semi
 fqb20n06ltm.pdf pdf_icon

FQB20N06TM

May 2001 TM QFET FQB20N06L / FQI20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 60V, RDS(on) = 0.055 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 9.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been esp

Другие IGBT... FQB19N10LTM, FQB19N10TM, FQB19N20CTM, FQB19N20LTM, FQB19N20TM, FQB1N60TM, FQB1P50TM, FQB20N06LTM, IRLB3034, FQB22P10TM, FQB24N08TM, FQB25N33TM, FQB27N25TMAM002, FQB27P06TM, FQB2N30TM, FQB2N50TM, FQB2N60TM