FQB20N06TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQB20N06TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB20N06TM
FQB20N06TM Datasheet (PDF)
fqb20n06tm.pdf
May 2001TMQFETFQB20N06 / FQI20N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 60V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially
fqb20n06ltm.pdf
May 2001TMQFETFQB20N06L / FQI20N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 60V, RDS(on) = 0.055 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 9.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been esp
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
