FQB24N08TM Todos los transistores

 

FQB24N08TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB24N08TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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FQB24N08TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fqb24n08tm.pdf pdf_icon

FQB24N08TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB24N08 / FQI24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology h

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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