Справочник MOSFET. FQB24N08TM

 

FQB24N08TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB24N08TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB24N08TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB24N08TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fqb24n08tm.pdf pdf_icon

FQB24N08TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB24N08 / FQI24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology h

Другие MOSFET... FQB19N20CTM , FQB19N20LTM , FQB19N20TM , FQB1N60TM , FQB1P50TM , FQB20N06LTM , FQB20N06TM , FQB22P10TM , 8N60 , FQB25N33TM , FQB27N25TMAM002 , FQB27P06TM , FQB2N30TM , FQB2N50TM , FQB2N60TM , FQB2N80TM , FQB2N90TM .

History: TSM3446CX6 | IRF7862PBF | NCE65NF036T4 | VS3618AH | VBZL45N03 | SUD19P06-60 | SVF14N65CFJ

 

 
Back to Top

 


 
.