FQB2P40TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB2P40TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

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FQB2P40TM Datasheet (PDF)

..1. Size:585K fairchild semi
fqb2p40tm.pdf

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P40 / FQI2P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.0A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced techno

9.1. Size:559K fairchild semi
fqb2p25tm fqi2p25tu.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P25 / FQI2P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technolo

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Liste

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