FQB2P40TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB2P40TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB2P40TM datasheet

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FQB2P40TM

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2P40 / FQI2P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.0A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced techno

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FQB2P40TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2P25 / FQI2P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technolo

Otros transistores... FQB27P06TM, FQB2N30TM, FQB2N50TM, FQB2N60TM, FQB2N80TM, FQB2N90TM, FQB2NA90TM, FQB2P25TM, IRF730, FQB30N06LTM, FQB30N06TM, FQB32N12V2TM, FQB32N20CTM, FQB33N10LTM, FQB33N10TM, FQB34N20LTM, FQB34N20TMAM002