Справочник MOSFET. FQB2P40TM

 

FQB2P40TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB2P40TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB2P40TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  fairchild semi
 fqb2p40tm.pdf pdf_icon

FQB2P40TM

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P40 / FQI2P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.0A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced techno

 9.1. Size:559K  fairchild semi
 fqb2p25tm fqi2p25tu.pdf pdf_icon

FQB2P40TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P25 / FQI2P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.