FQB32N12V2TM Todos los transistores

 

FQB32N12V2TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB32N12V2TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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FQB32N12V2TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  fairchild semi
 fqb32n12v2tm.pdf pdf_icon

FQB32N12V2TM

QFETFQB32N12V2/FQI32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailored

 8.1. Size:1201K  fairchild semi
 fqb32n20ctm.pdf pdf_icon

FQB32N12V2TM

October 2008QFETFQB32N20C/FQI32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been espec

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History: MMBF4119 | SM6A22NSF

 

 
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