FQB32N12V2TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB32N12V2TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

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FQB32N12V2TM Datasheet (PDF)

..1. Size:647K fairchild semi
fqb32n12v2tm.pdf

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8.1. Size:1201K fairchild semi
fqb32n20ctm.pdf

October 2008QFETFQB32N20C/FQI32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been espec

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: