FQB32N12V2TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB32N12V2TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB32N12V2TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB32N12V2TM даташит

 ..1. Size:647K  fairchild semi
 fqb32n12v2tm.pdf pdf_icon

FQB32N12V2TM

QFET FQB32N12V2/FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has been especially tailored

 8.1. Size:1201K  fairchild semi
 fqb32n20ctm.pdf pdf_icon

FQB32N12V2TM

October 2008 QFET FQB32N20C/FQI32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF) This advanced technology has been espec

Другие IGBT... FQB2N60TM, FQB2N80TM, FQB2N90TM, FQB2NA90TM, FQB2P25TM, FQB2P40TM, FQB30N06LTM, FQB30N06TM, IRF740, FQB32N20CTM, FQB33N10LTM, FQB33N10TM, FQB34N20LTM, FQB34N20TMAM002, FQB34P10TM, FQB3N25TM, FQB3N30TM