FQB32N20CTM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB32N20CTM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB32N20CTM datasheet

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FQB32N20CTM

October 2008 QFET FQB32N20C/FQI32N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF) This advanced technology has been espec

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FQB32N20CTM

QFET FQB32N12V2/FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has been especially tailored

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