Справочник MOSFET. FQB32N20CTM

 

FQB32N20CTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB32N20CTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 82.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB32N20CTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB32N20CTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  fairchild semi
 fqb32n20ctm.pdf pdf_icon

FQB32N20CTM

October 2008QFETFQB32N20C/FQI32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been espec

 8.1. Size:647K  fairchild semi
 fqb32n12v2tm.pdf pdf_icon

FQB32N20CTM

QFETFQB32N12V2/FQI32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQB2N80TM , FQB2N90TM , FQB2NA90TM , FQB2P25TM , FQB2P40TM , FQB30N06LTM , FQB30N06TM , FQB32N12V2TM , IRF840 , FQB33N10LTM , FQB33N10TM , FQB34N20LTM , FQB34N20TMAM002 , FQB34P10TM , FQB3N25TM , FQB3N30TM , FQB3N40TM .

History: AP9565AGH-HF | DMC1229UFDB | DMT3008LFDF

 

 
Back to Top

 


 
.