FQB32N20CTM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQB32N20CTM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 82.5 nC
Время нарастания (tr): 270 ns
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB32N20CTM
FQB32N20CTM Datasheet (PDF)
fqb32n20ctm.pdf
October 2008QFETFQB32N20C/FQI32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been espec
fqb32n12v2tm.pdf
QFETFQB32N12V2/FQI32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
