FQB3P20TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQB3P20TM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: D2-PAK
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FQB3P20TM Datasheet (PDF)
fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf
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fqb3p50tm fqb3p50 fqi3p50 fqi3p50tu.pdf
August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P50 / FQI3P50500V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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