Справочник MOSFET. FQB3P20TM

 

FQB3P20TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB3P20TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB3P20TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  fairchild semi
 fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf pdf_icon

FQB3P20TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P20 / FQI3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technolo

 9.1. Size:645K  fairchild semi
 fqb3p50tm fqb3p50 fqi3p50 fqi3p50tu.pdf pdf_icon

FQB3P20TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P50 / FQI3P50500V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY2N60T | HY4903B6 | STS9NF3LL | FQB4N50TM | STS2601

 

 
Back to Top

 


 
.