FQB46N15TMAM002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB46N15TMAM002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB46N15TMAM002 datasheet

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FQB46N15TMAM002

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB46N15 / FQI46N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced techno

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FQB46N15TMAM002

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB46N15 / FQI46N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced techno

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