Справочник MOSFET. FQB46N15TMAM002

 

FQB46N15TMAM002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB46N15TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB46N15TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:764K  fairchild semi
 fqb46n15tm am002.pdf pdf_icon

FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

 6.1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf pdf_icon

FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB24N08TM | STS6NF20V | FQA7N90M | FQB34N20 | HY1808APM | HY3906A | STP90N4F3

 

 
Back to Top

 


 
.