Справочник MOSFET. FQB46N15TMAM002

 

FQB46N15TMAM002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQB46N15TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK

 Аналог (замена) для FQB46N15TMAM002

 

 

FQB46N15TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:764K  fairchild semi
 fqb46n15tm am002.pdf

FQB46N15TMAM002 FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

 6.1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf

FQB46N15TMAM002 FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top