Справочник MOSFET. FQB46N15TMAM002

 

FQB46N15TMAM002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB46N15TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB46N15TMAM002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB46N15TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:764K  fairchild semi
 fqb46n15tm am002.pdf pdf_icon

FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

 6.1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf pdf_icon

FQB46N15TMAM002

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... FQB34P10TM , FQB3N25TM , FQB3N30TM , FQB3N40TM , FQB3N60CTM , FQB3N90TM , FQB3P20TM , FQB3P50TM , IRF3710 , FQB47P06TMAM002 , FQB4N20LTM , FQB4N20TM , FQB4N25TM , FQB4N50TM , FQB4N90TM , FQB4P25TM , FQB4P40TM .

History: IPD031N06L3 | AUIRF4104STRL | KNY3403A | SIR850DP | STP120N4F6 | SFF440J

 

 
Back to Top

 


 
.