FQB47P06TMAM002 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQB47P06TMAM002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB47P06TMAM002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB47P06TMAM002 datasheet

4.1. Size:1192K fairchild semi
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October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

6.1. Size:1207K fairchild semi
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6.2. Size:1140K onsemi
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FQB47P06 P-Channel QFET MOSFET -60 V, -47 A, 26 m Features -47 A, -60 V, RDS(on) = 26 m (Max.) @ VGS = .10 V, Description ID = -23.5 A This P-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge (Typ. 84 nC) produced using ON Semiconductor s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 320 pF) technology has been esp

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