FQB47P06TMAM002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB47P06TMAM002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQB47P06TMAM002

FQB47P06TMAM002 Datasheet (PDF)

4.1. Size:1192K fairchild semi
fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf

October 2008QFETFQB47P06 / FQI47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especi

6.1. Size:1207K fairchild semi
fqb47p06 fqi47p06.pdf

6.2. Size:1140K onsemi
fqb47p06.pdf

FQB47P06P-Channel QFET MOSFET-60 V, -47 A, 26 mFeatures -47 A, -60 V, RDS(on) = 26 m (Max.) @ VGS = .10 V,DescriptionID = -23.5 AThis P-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge (Typ. 84 nC)produced using ON Semiconductors proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 320 pF)technology has been esp

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: