FQB47P06TMAM002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB47P06TMAM002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB47P06TMAM002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB47P06TMAM002 даташит

 4.1. Size:1192K  fairchild semi
 fqb47p06tm am002 fqi47p06tu.pdf pdf_icon

FQB47P06TMAM002

October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

 6.1. Size:1207K  fairchild semi
 fqb47p06 fqi47p06.pdf pdf_icon

FQB47P06TMAM002

October 2008 QFET FQB47P06 / FQI47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -47A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especi

 6.2. Size:1140K  onsemi
 fqb47p06.pdf pdf_icon

FQB47P06TMAM002

FQB47P06 P-Channel QFET MOSFET -60 V, -47 A, 26 m Features -47 A, -60 V, RDS(on) = 26 m (Max.) @ VGS = .10 V, Description ID = -23.5 A This P-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge (Typ. 84 nC) produced using ON Semiconductor s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 320 pF) technology has been esp

Другие IGBT... FQB3N25TM, FQB3N30TM, FQB3N40TM, FQB3N60CTM, FQB3N90TM, FQB3P20TM, FQB3P50TM, FQB46N15TMAM002, IRFB4227, FQB4N20LTM, FQB4N20TM, FQB4N25TM, FQB4N50TM, FQB4N90TM, FQB4P25TM, FQB4P40TM, FQB50N06LTM