FQB5P10TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB5P10TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB5P10TM datasheet

 ..1. Size:653K  fairchild semi
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FQB5P10TM

TM QFET FQB5P10 / FQI5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especially tailore

 9.1. Size:667K  fairchild semi
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FQB5P10TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB5P20 / FQI5P20 200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 n

Otros transistores... FQB5N30TM, FQB5N40TM, FQB5N50CFTM, FQB5N50CTM, FQB5N50TM, FQB5N60CTM, FQB5N60TM, FQB5N90TM, SPP20N60C3, FQB5P20TM, FQB630TM, FQB65N06TM, FQB6N15TM, FQB6N25TM, FQB6N40CTM, FQB6N50, FQB6N60CTM