Справочник MOSFET. FQB5P10TM

 

FQB5P10TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB5P10TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB5P10TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB5P10TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  fairchild semi
 fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf pdf_icon

FQB5P10TM

TMQFETFQB5P10 / FQI5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailore

 9.1. Size:667K  fairchild semi
 fqb5p20tm.pdf pdf_icon

FQB5P10TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB5P20 / FQI5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 n

Другие MOSFET... FQB5N30TM , FQB5N40TM , FQB5N50CFTM , FQB5N50CTM , FQB5N50TM , FQB5N60CTM , FQB5N60TM , FQB5N90TM , AON7410 , FQB5P20TM , FQB630TM , FQB65N06TM , FQB6N15TM , FQB6N25TM , FQB6N40CTM , FQB6N50 , FQB6N60CTM .

History: FS16SM-6 | FXN30S55F | IRFY9140CM | PV501BA

 

 
Back to Top

 


 
.