FQB65N06TM Todos los transistores

 

FQB65N06TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB65N06TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FQB65N06TM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQB65N06TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 fqb65n06tm.pdf pdf_icon

FQB65N06TM

May 2001TMQFETFQB65N06 / FQI65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially

 6.1. Size:668K  fairchild semi
 fqb65n06 fqi65n06.pdf pdf_icon

FQB65N06TM

May 2001TMQFETFQB65N06 / FQI65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially

Otros transistores... FQB5N50CTM , FQB5N50TM , FQB5N60CTM , FQB5N60TM , FQB5N90TM , FQB5P10TM , FQB5P20TM , FQB630TM , TK10A60D , FQB6N15TM , FQB6N25TM , FQB6N40CTM , FQB6N50 , FQB6N60CTM , FQB6N60TM , FQB6N70TM , FQB6N80TM .

History: MRF164W | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP

 

 
Back to Top

 


 
.