FQB65N06TM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FQB65N06TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB65N06TM
FQB65N06TM Datasheet (PDF)
fqb65n06tm.pdf
May 2001TMQFETFQB65N06 / FQI65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially
fqb65n06 fqi65n06.pdf
May 2001TMQFETFQB65N06 / FQI65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially
Другие MOSFET... FQB5N50CTM , FQB5N50TM , FQB5N60CTM , FQB5N60TM , FQB5N90TM , FQB5P10TM , FQB5P20TM , FQB630TM , AO4407 , FQB6N15TM , FQB6N25TM , FQB6N40CTM , FQB6N50 , FQB6N60CTM , FQB6N60TM , FQB6N70TM , FQB6N80TM .
History: BSO200P03S | FTK60N04D
History: BSO200P03S | FTK60N04D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM15N10D | AGM15N10AP | AGM150P10S | AGM150P10D | AGM150P10AP | AGM14N10D | AGM14N10AP | AGM14N10A | AGM1405F | AGM1405C1 | AGM13T30D | AGM13T30A | AGM13T15D | AGM13T15C | AGM13T15A | AGM20P22AS
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor