FQB65N06TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB65N06TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB65N06TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB65N06TM даташит

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 fqb65n06tm.pdf pdf_icon

FQB65N06TM

May 2001 TM QFET FQB65N06 / FQI65N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially

 6.1. Size:668K  fairchild semi
 fqb65n06 fqi65n06.pdf pdf_icon

FQB65N06TM

May 2001 TM QFET FQB65N06 / FQI65N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially

Другие IGBT... FQB5N50CTM, FQB5N50TM, FQB5N60CTM, FQB5N60TM, FQB5N90TM, FQB5P10TM, FQB5P20TM, FQB630TM, 13N50, FQB6N15TM, FQB6N25TM, FQB6N40CTM, FQB6N50, FQB6N60CTM, FQB6N60TM, FQB6N70TM, FQB6N80TM