FQB70N10TMAM002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB70N10TMAM002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 470 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQB70N10TMAM002

FQB70N10TMAM002 Datasheet (PDF)

4.1. Size:646K fairchild semi
fqb70n10tm am002.pdf

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N10 / FQI70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technolo

8.1. Size:678K fairchild semi
fqb70n08 fqi70n08.pdf

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N08 / FQI70N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF)This advanced technology

8.2. Size:258K inchange semiconductor
fqb70n08.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor FQB70N08FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: