Справочник MOSFET. FQB70N10TMAM002

 

FQB70N10TMAM002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB70N10TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 470 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB70N10TMAM002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB70N10TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:646K  fairchild semi
 fqb70n10tm am002.pdf pdf_icon

FQB70N10TMAM002

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N10 / FQI70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technolo

 8.1. Size:678K  fairchild semi
 fqb70n08 fqi70n08.pdf pdf_icon

FQB70N10TMAM002

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N08 / FQI70N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF)This advanced technology

 8.2. Size:258K  inchange semiconductor
 fqb70n08.pdf pdf_icon

FQB70N10TMAM002

Isc N-Channel MOSFET Transistor FQB70N08FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... FQB6N25TM , FQB6N40CTM , FQB6N50 , FQB6N60CTM , FQB6N60TM , FQB6N70TM , FQB6N80TM , FQB6N90TMAM002 , IRFP250 , FQB7N10LTM , FQB7N20LTM , FQB7N30TM , FQB7N60TM , FQB7N65CTM , FQB7N80TMAM002 , FQB7P06TM , FQB85N06TMAM002 .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.