FQB85N06TMAM002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB85N06TMAM002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQB85N06TMAM002

FQB85N06TMAM002 Datasheet (PDF)

4.1. Size:655K fairchild semi
fqb85n06tm am002.pdf

May 2001TMQFETFQB85N06 / FQI85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 85A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 165 pF)This advanced technology has been especia

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: