FQB85N06TMAM002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB85N06TMAM002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB85N06TMAM002 datasheet

 4.1. Size:655K  fairchild semi
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FQB85N06TMAM002

May 2001 TM QFET FQB85N06 / FQI85N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 85A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typically 86 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 165 pF) This advanced technology has been especia

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