Справочник MOSFET. FQB85N06TMAM002

 

FQB85N06TMAM002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB85N06TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB85N06TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:655K  fairchild semi
 fqb85n06tm am002.pdf pdf_icon

FQB85N06TMAM002

May 2001TMQFETFQB85N06 / FQI85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 85A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 165 pF)This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.