Справочник MOSFET. FQB85N06TMAM002

 

FQB85N06TMAM002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB85N06TMAM002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB85N06TMAM002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB85N06TMAM002 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:655K  fairchild semi
 fqb85n06tm am002.pdf pdf_icon

FQB85N06TMAM002

May 2001TMQFETFQB85N06 / FQI85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 85A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 165 pF)This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... FQB70N10TMAM002 , FQB7N10LTM , FQB7N20LTM , FQB7N30TM , FQB7N60TM , FQB7N65CTM , FQB7N80TMAM002 , FQB7P06TM , P0903BDG , FQB8N25TM , FQB8N60CFTM , FQB8P10TM , FQB9N08LTM , FQB9N08TM , FQB9N15TM , FQB9N25CTM , FQB9N25TM .

History: YJG40G10A | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | SWP100N10B | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.