FQD14N15TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD14N15TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD14N15TM datasheet

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FQD14N15TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD14N15 / FQU14N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology h

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