FQD14N15TM Todos los transistores

 

FQD14N15TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD14N15TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FQD14N15TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  fairchild semi
 fqd14n15tm.pdf pdf_icon

FQD14N15TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD14N15 / FQU14N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology h

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