FQD14N15TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD14N15TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD14N15TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD14N15TM даташит

 ..1. Size:772K  fairchild semi
 fqd14n15tm.pdf pdf_icon

FQD14N15TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD14N15 / FQU14N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology h

Другие IGBT... FQD12P10TF, FQD12P10TM, FQD13N06LTF, FQD13N06LTM, FQD13N06TF, FQD13N06TM, FQD13N10TF, FQD13N10TM, AOD4184A, FQD16N15TM, FQD17N08LTF, FQD17N08LTM, FQD17P06TF, FQD17P06TM, FQD18N20V2TF, FQD18N20V2TM, FQD19N10LTF