FQD14N15TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQD14N15TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для FQD14N15TM
FQD14N15TM Datasheet (PDF)
fqd14n15tm.pdf

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD14N15 / FQU14N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology h
Другие MOSFET... FQD12P10TF , FQD12P10TM , FQD13N06LTF , FQD13N06LTM , FQD13N06TF , FQD13N06TM , FQD13N10TF , FQD13N10TM , HY1906P , FQD16N15TM , FQD17N08LTF , FQD17N08LTM , FQD17P06TF , FQD17P06TM , FQD18N20V2TF , FQD18N20V2TM , FQD19N10LTF .
History: AFP2913W | 2SK1818-MR | HFD1N60S | 2SK1465 | ZXMN6A09K | LSGE04R035 | CSD18534KCS
History: AFP2913W | 2SK1818-MR | HFD1N60S | 2SK1465 | ZXMN6A09K | LSGE04R035 | CSD18534KCS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688