Справочник MOSFET. FQD14N15TM

 

FQD14N15TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD14N15TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD14N15TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD14N15TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  fairchild semi
 fqd14n15tm.pdf pdf_icon

FQD14N15TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD14N15 / FQU14N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology h

Другие MOSFET... FQD12P10TF , FQD12P10TM , FQD13N06LTF , FQD13N06LTM , FQD13N06TF , FQD13N06TM , FQD13N10TF , FQD13N10TM , HY1906P , FQD16N15TM , FQD17N08LTF , FQD17N08LTM , FQD17P06TF , FQD17P06TM , FQD18N20V2TF , FQD18N20V2TM , FQD19N10LTF .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.