FQD1P50TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD1P50TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD1P50TM datasheet

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FQD1P50TM

January 2009 QFET FQD1P50 / FQU1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especi

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