FQD1P50TM Todos los transistores

 

FQD1P50TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD1P50TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FQD1P50TM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQD1P50TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  fairchild semi
 fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf pdf_icon

FQD1P50TM

January 2009QFETFQD1P50 / FQU1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especi

Otros transistores... FQD1N50TM , FQD1N60CTF , FQD1N60CTM , FQD1N60TF , FQD1N60TM , FQD1N80TF , FQD1N80TM , FQD1P50TF , 10N60 , FQD20N06L , FQD20N06TF , FQD20N06TM , FQD24N08TF , FQD24N08TM , FQD2N100TF , FQD2N100TM , FQD2N30TM .

History: SSM3K7002BF | IRFAF50

 

 
Back to Top

 


 
.