FQD1P50TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD1P50TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD1P50TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD1P50TM даташит

 ..1. Size:691K  fairchild semi
 fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf pdf_icon

FQD1P50TM

January 2009 QFET FQD1P50 / FQU1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especi

Другие IGBT... FQD1N50TM, FQD1N60CTF, FQD1N60CTM, FQD1N60TF, FQD1N60TM, FQD1N80TF, FQD1N80TM, FQD1P50TF, IRFP260N, FQD20N06L, FQD20N06TF, FQD20N06TM, FQD24N08TF, FQD24N08TM, FQD2N100TF, FQD2N100TM, FQD2N30TM