Справочник MOSFET. FQD1P50TM

 

FQD1P50TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD1P50TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD1P50TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD1P50TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  fairchild semi
 fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf pdf_icon

FQD1P50TM

January 2009QFETFQD1P50 / FQU1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especi

Другие MOSFET... FQD1N50TM , FQD1N60CTF , FQD1N60CTM , FQD1N60TF , FQD1N60TM , FQD1N80TF , FQD1N80TM , FQD1P50TF , 10N60 , FQD20N06L , FQD20N06TF , FQD20N06TM , FQD24N08TF , FQD24N08TM , FQD2N100TF , FQD2N100TM , FQD2N30TM .

History: FDV302PNB8V001

 

 
Back to Top

 


 
.