Справочник MOSFET. FQD1P50TM

 

FQD1P50TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD1P50TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD1P50TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  fairchild semi
 fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf pdf_icon

FQD1P50TM

January 2009QFETFQD1P50 / FQU1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTMFS4826NE | HM85N90 | 2SK492 | SUM18N25-165 | SSM3K36FS | AP4543GMT-HF | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.