FQD24N08TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD24N08TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD24N08TM datasheet

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FQD24N08TM

January 2009 QFET FQD24N08 / FQU24N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been especiall

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