Справочник MOSFET. FQD24N08TM

 

FQD24N08TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD24N08TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD24N08TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fqd24n08tf fqd24n08tm.pdf pdf_icon

FQD24N08TM

January 2009QFETFQD24N08 / FQU24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been especiall

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PSMN2R6-30YLC | AOD450 | TK50A04K3 | FQD2P40TF | IRF3707SPBF | AP80T12GP-HF | NTTFS1D2N02P1E

 

 
Back to Top

 


 
.