FQD24N08TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD24N08TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD24N08TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD24N08TM даташит

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fqd24n08tf fqd24n08tm.pdf pdf_icon

FQD24N08TM

January 2009 QFET FQD24N08 / FQU24N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been especiall

Другие IGBT... FQD1N80TF, FQD1N80TM, FQD1P50TF, FQD1P50TM, FQD20N06L, FQD20N06TF, FQD20N06TM, FQD24N08TF, AON6414A, FQD2N100TF, FQD2N100TM, FQD2N30TM, FQD2N40TF, FQD2N40TM, FQD2N50TF, FQD2N50TM, FQD2N60TF