Справочник MOSFET. FQD24N08TM

 

FQD24N08TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD24N08TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD24N08TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD24N08TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fqd24n08tf fqd24n08tm.pdf pdf_icon

FQD24N08TM

January 2009QFETFQD24N08 / FQU24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been especiall

Другие MOSFET... FQD1N80TF , FQD1N80TM , FQD1P50TF , FQD1P50TM , FQD20N06L , FQD20N06TF , FQD20N06TM , FQD24N08TF , IRFB4110 , FQD2N100TF , FQD2N100TM , FQD2N30TM , FQD2N40TF , FQD2N40TM , FQD2N50TF , FQD2N50TM , FQD2N60TF .

History: JCS6N90B | IXFV20N80P | TSM2NB60CZ | AP60WN4K5H | AFN4134 | AP60SL150AP | DMS3016SSS

 

 
Back to Top

 


 
.