IRFW710A Todos los transistores

 

IRFW710A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFW710A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFW710A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFW710A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  1
 irfi710a irfw710a.pdf pdf_icon

IRFW710A

 7.1. Size:667K  fairchild semi
 irfw710b irfi710b.pdf pdf_icon

IRFW710A

November 2001IRFW710B / IRFI710B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.7 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 9.1. Size:117K  1
 irfi730a irfw730a.pdf pdf_icon

IRFW710A

 9.2. Size:116K  1
 irfi720a irfw720a.pdf pdf_icon

IRFW710A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.