Справочник MOSFET. IRFW710A

 

IRFW710A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW710A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW710A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW710A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  1
irfi710a irfw710a.pdfpdf_icon

IRFW710A

 7.1. Size:667K  fairchild semi
irfw710b irfi710b.pdfpdf_icon

IRFW710A

November 2001IRFW710B / IRFI710B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.7 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 9.1. Size:117K  1
irfi730a irfw730a.pdfpdf_icon

IRFW710A

 9.2. Size:116K  1
irfi720a irfw720a.pdfpdf_icon

IRFW710A

Другие MOSFET... IRFW610A , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRF1010E , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A .

History: IPP60R280P6 | FQA46N15 | APQ02SN60AH | FDPF44N25T | IPZ60R040C7

 

 
Back to Top

 


 
.