IRFW710A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFW710A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRFW710A Datasheet (PDF)
irfw710b irfi710b.pdf

November 2001IRFW710B / IRFI710B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.7 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been especially tailored t
Другие MOSFET... IRFW610A , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRF1010E , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A .
History: AOTF409 | APQ02SN60AH | FX70KMJ-03 | TPC8301 | SIHG30N60E
History: AOTF409 | APQ02SN60AH | FX70KMJ-03 | TPC8301 | SIHG30N60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0613APD | JMSL0612PU | JMSL0612PPD | JMSL0612PP | JMSL0612PK | JMSL0612PGQ | JMSL0612PG | JMSL0612AUQ | JMSL0612AU | JMSL0612AKQ | JMSL0612AK | JMSL0612AGQ | JMSL0612AG | JMSL06120UQ | JMSL0611PUD | JMSL0611PU
Popular searches
irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125