IRFW820A Todos los transistores

 

IRFW820A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFW820A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFW820A

 

IRFW820A Datasheet (PDF)

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Advanced Power MOSFET FEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology RDS(on) = 3.0 Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

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Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 0.638 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

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Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

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