Справочник MOSFET. IRFW820A

 

IRFW820A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW820A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW820A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW820A

 ..2. Size:504K  samsung
 irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW820A

Advanced Power MOSFET FEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology RDS(on) = 3.0 Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW820A

 9.2. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW820A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDP19N40 | WM01P60M | SDF054JAB-D | SI1402DH | 2N4338 | FDN359AN | ITF87008DQT

 

 
Back to Top

 


 
.