IRFW820A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFW820A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFW820A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW820A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW820A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW820A

 ..2. Size:504K  samsung
 irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW820A

Advanced Power MOSFET FEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology RDS(on) = 3.0 Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW820A

 9.2. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW820A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , SPP20N60C3 , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C .

History: HUF75339S3S

 

 
Back to Top

 


 
.