FQD630TM Todos los transistores

 

FQD630TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD630TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FQD630TM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQD630TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  fairchild semi
 fqd630tf fqd630tm.pdf pdf_icon

FQD630TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has b

Otros transistores... FQD5N50TF , FQD5N60CTF , FQD5N60CTM , FQD5P10TF , FQD5P10TM , FQD5P20TF , FQD5P20TM , FQD630TF , IRF1405 , FQD6N25TF , FQD6N25TM , FQD6N40CTF , FQD6N40CTM , FQD6N40TF , FQD6N40TM , IRF2204LPBF , IRF2204PBF .

History: IXTQ130N20T | AOW190A60C | PZ5S6EA | UF4N20 | NCE60H15AD

 

 
Back to Top

 


 
.