FQD630TM Todos los transistores

 

FQD630TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD630TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FQD630TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  fairchild semi
 fqd630tf fqd630tm.pdf pdf_icon

FQD630TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has b

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History: STP10N95K5 | UM6K31N | BRCS120N06YB | 2N3684 | BRCS120P04YB | PA110ED | IRFP340PBF

 

 
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