Справочник MOSFET. FQD630TM

 

FQD630TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD630TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD630TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD630TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  fairchild semi
 fqd630tf fqd630tm.pdf pdf_icon

FQD630TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has b

Другие MOSFET... FQD5N50TF , FQD5N60CTF , FQD5N60CTM , FQD5P10TF , FQD5P10TM , FQD5P20TF , FQD5P20TM , FQD630TF , NCEP15T14 , FQD6N25TF , FQD6N25TM , FQD6N40CTF , FQD6N40CTM , FQD6N40TF , FQD6N40TM , IRF2204LPBF , IRF2204PBF .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | IXFT16N120P | AP18T10GJ | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.