FQD6P25TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD6P25TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD6P25TM

FQD6P25TM Datasheet (PDF)

..1. Size:624K fairchild semi
fqd6p25tf fqd6p25tm fqu6p25tu.pdf

October 2008QFETFQD6P25 / FQU6P25 250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especia

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Liste

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