FQD6P25TM Todos los transistores

 

FQD6P25TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD6P25TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQD6P25TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqd6p25tf fqd6p25tm fqu6p25tu.pdf pdf_icon

FQD6P25TM

October 2008QFETFQD6P25 / FQU6P25 250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especia

Otros transistores... IRF3808L , IRF3808LPBF , IRF3808PBF , IRF3808SPBF , FQD6N50CTF , FQD6N50CTM , FQD6N60CTM , FQD6P25TF , IRF520 , FQD7N10LTF , FQD7N10LTM , FQD7N10TM , FQD7N20LTF , FQD7N20LTM , FQD7N20TF , FQD7N20TM , FQD7N30TF .

History: IPD60R750E6

 

 
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