FQD6P25TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD6P25TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD6P25TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD6P25TM даташит

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqd6p25tf fqd6p25tm fqu6p25tu.pdf pdf_icon

FQD6P25TM

October 2008 QFET FQD6P25 / FQU6P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especia

Другие IGBT... IRF3808L, IRF3808LPBF, IRF3808PBF, IRF3808SPBF, FQD6N50CTF, FQD6N50CTM, FQD6N60CTM, FQD6P25TF, 75N75, FQD7N10LTF, FQD7N10LTM, FQD7N10TM, FQD7N20LTF, FQD7N20LTM, FQD7N20TF, FQD7N20TM, FQD7N30TF