Справочник MOSFET. FQD6P25TM

 

FQD6P25TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD6P25TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD6P25TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD6P25TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqd6p25tf fqd6p25tm fqu6p25tu.pdf pdf_icon

FQD6P25TM

October 2008QFETFQD6P25 / FQU6P25 250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... IRF3808L , IRF3808LPBF , IRF3808PBF , IRF3808SPBF , FQD6N50CTF , FQD6N50CTM , FQD6N60CTM , FQD6P25TF , IRF520 , FQD7N10LTF , FQD7N10LTM , FQD7N10TM , FQD7N20LTF , FQD7N20LTM , FQD7N20TF , FQD7N20TM , FQD7N30TF .

 

 
Back to Top

 


 
.