FQD8N25TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD8N25TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

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FQD8N25TF Datasheet (PDF)

..1. Size:603K fairchild semi
fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD8N25 / FQU8N25250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has

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History: PMN280ENEA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: