Справочник MOSFET. FQD8N25TF

 

FQD8N25TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD8N25TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD8N25TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD8N25TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf pdf_icon

FQD8N25TF

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD8N25 / FQU8N25250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has

Другие MOSFET... FQD7N20TF , FQD7N20TM , FQD7N30TF , FQD7N30TM , FQD7P06TF , FQD7P06TM , FQD7P20TF , FQD7P20TM , 2SK3918 , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 .

History: 2SJ337 | INJ0002AU1 | AP4511GM | AM3443P | IRFS7434PBF | CEB09N7G

 

 
Back to Top

 


 
.