FQD8N25TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD8N25TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD8N25TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD8N25TF даташит

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf pdf_icon

FQD8N25TF

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD8N25 / FQU8N25 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has

Другие IGBT... FQD7N20TF, FQD7N20TM, FQD7N30TF, FQD7N30TM, FQD7P06TF, FQD7P06TM, FQD7P20TF, FQD7P20TM, EMB04N03H, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133