FQD9N25TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD9N25TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD9N25TM datasheet

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FQD9N25TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology

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FQD9N25TM

February 2011 FQD9N25TM_F085 QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on)=0.42 @V =10V GS transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge (typical 15.5nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 15pF) This advanced technology has been especial

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FQD9N25TM

FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.7 A Description Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 15 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has

Otros transistores... FQD7P06TF, FQD7P06TM, FQD7P20TF, FQD7P20TM, FQD8N25TF, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, AO4407A, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU