FQD9N25TM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FQD9N25TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для FQD9N25TM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FQD9N25TM даташит
fqd9n25tf fqd9n25tm fqd9n25 fqu9n25 fqu9n25tu.pdf
May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology
fqd9n25tm f085.pdf
February 2011 FQD9N25TM_F085 QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on)=0.42 @V =10V GS transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge (typical 15.5nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 15pF) This advanced technology has been especial
fqd9n25 fqu9n25.pdf
FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.7 A Description Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 15 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has
Другие IGBT... FQD7P06TF, FQD7P06TM, FQD7P20TF, FQD7P20TM, FQD8N25TF, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, AO4407A, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968



