FQH140N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQH140N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 940 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de FQH140N10 MOSFET
FQH140N10 Datasheet (PDF)
fqh140n10.pdf

TMQFETFQH140N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF)This advanced technology has been especially tailored to
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History: AP50WN270W | ME8029-G
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Liste
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