FQH140N10 Todos los transistores

 

FQH140N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQH140N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 940 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de FQH140N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQH140N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  fairchild semi
 fqh140n10.pdf pdf_icon

FQH140N10

TMQFETFQH140N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... FQD7P20TF , FQD7P20TM , FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , 5N50 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU .

History: HGK030N06S | OSG65R200FF | IXTN60N50L2 | 6N65D | BLL6H0514L-130 | HGI050N10AL | OSG65R2KFSF

 

 
Back to Top

 


 
.