FQH140N10 Todos los transistores

 

FQH140N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQH140N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 940 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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FQH140N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  fairchild semi
 fqh140n10.pdf pdf_icon

FQH140N10

TMQFETFQH140N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: HGP059N12SL | SVS70R420FE3 | SM4336NSKP | IXTA4N60P | 2SK564 | RJL6015DPK | ME4856

 

 
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