FQH140N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQH140N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 940 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-247

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FQH140N10 datasheet

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FQH140N10

TM QFET FQH140N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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