Справочник MOSFET. FQH140N10

 

FQH140N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH140N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 940 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH140N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  fairchild semi
 fqh140n10.pdf pdf_icon

FQH140N10

TMQFETFQH140N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM5N65 | CHM4804JGP | IXFH15N100Q | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.