Справочник MOSFET. FQH140N10

 

FQH140N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH140N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 940 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FQH140N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH140N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  fairchild semi
 fqh140n10.pdf pdf_icon

FQH140N10

TMQFETFQH140N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 140A, 100V, RDS(on) = 0.01 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 470 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQD7P20TF , FQD7P20TM , FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , 5N50 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU .

History: HGP059N12SL | P4506BD | PB606BA | SI7617DN | ME4972-G | OSG65R070PT3F | TPCP8204

 

 
Back to Top

 


 
.