FQH18N50V2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQH18N50V2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de FQH18N50V2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FQH18N50V2 datasheet

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqh18n50v2.pdf pdf_icon

FQH18N50V2

QFET FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has been especially tailored to F

Otros transistores... FQD7P20TM, FQD8N25TF, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, AO4468, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, FQI11N40TU, FQI11P06TU, FQI12N50TU