FQH18N50V2 Todos los transistores

 

FQH18N50V2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQH18N50V2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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FQH18N50V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqh18n50v2.pdf pdf_icon

FQH18N50V2

QFETFQH18N50V2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to F

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History: IXTH28N50Q | AMA520C | IXTH11N80

 

 
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