Справочник MOSFET. FQH18N50V2

 

FQH18N50V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH18N50V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FQH18N50V2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH18N50V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqh18n50v2.pdf pdf_icon

FQH18N50V2

QFETFQH18N50V2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to F

Другие MOSFET... FQD7P20TM , FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , IRFP064N , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU .

History: WFN1N60N | CEP6042 | 2SK2797 | HY4008M | HGS120N10SL | 2SK2115

 

 
Back to Top

 


 
.