FQH44N10_F133 Todos los transistores

 

FQH44N10_F133 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQH44N10_F133

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 48 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 48 nC

Tiempo de elevación (tr): 190 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 425 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247

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FQH44N10_F133 Datasheet (PDF)

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FQH44N10_F133
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Octorber 2008 ® QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 48A, 100V, RDS(on) = 0.039Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t

2.1. fqh44n10.pdf Size:982K _fairchild_semi

FQH44N10_F133
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Octorber 2008 QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 

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