FQH44N10F133 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FQH44N10F133
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для FQH44N10F133
FQH44N10F133 Datasheet (PDF)
fqh44n10 f133.pdf
Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t
fqh44n10.pdf
Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t
Другие MOSFET... FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , IRFP064N , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU .
History: FQH70N10
History: FQH70N10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor