FQH44N10F133. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQH44N10F133

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для FQH44N10F133

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH44N10F133 даташит

 6.1. Size:974K  fairchild semi
 fqh44n10 f133.pdf pdf_icon

FQH44N10F133

Octorber 2008 QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t

 6.2. Size:982K  fairchild semi
 fqh44n10.pdf pdf_icon

FQH44N10F133

Octorber 2008 QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t

Другие IGBT... FQD8N25TF, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, IRF730, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, FQI11N40TU, FQI11P06TU, FQI12N50TU, FQI12N60CTU