Справочник MOSFET. FQH44N10F133

 

FQH44N10F133 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH44N10F133
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FQH44N10F133

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH44N10F133 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:974K  fairchild semi
 fqh44n10 f133.pdf pdf_icon

FQH44N10F133

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

 6.2. Size:982K  fairchild semi
 fqh44n10.pdf pdf_icon

FQH44N10F133

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

Другие MOSFET... FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , BS170 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU .

History: 2SK1403A | TSJ10N10AT | FIR210N06G

 

 
Back to Top

 


 
.