FQH70N10 Todos los transistores

 

FQH70N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQH70N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 470 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQH70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 fqh70n10.pdf pdf_icon

FQH70N10

QFETFQH70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

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History: CEM9936A | LSH65R1K5HT

 

 
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