Справочник MOSFET. FQH70N10

 

FQH70N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH70N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 470 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FQH70N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 fqh70n10.pdf pdf_icon

FQH70N10

QFETFQH70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fa

Другие MOSFET... FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , IRFZ44N , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU .

History: FQT13N06L | CEH2321 | HEPF2004

 

 
Back to Top

 


 
.